锦弘霖H80POS机客服电话是什么？

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中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布，公司近日推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺，为中微公司加速向高端设备平台化公司转型注入新动能。

其中，在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。

中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备——CCP电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE基于成熟的Primo HD-RIE设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。

Primo UD-RIE引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管理，有效提升了设备的稳定性和可靠性。同时，Primo UD-RIE还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显着提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。